SQ2364EES-T1-GE3 mosfet N 60V 1.3A SOT23 SMD Vishay Siliconix
Art. #: 210SQ2364EEST1GE3
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| Quantità | Prezzo | IVA esclusa | IVA inclusa* |
|---|---|---|---|
| 1 | Listino | 1,365 € | 1,6653 € |
| 1 | Promo | 1,2285 € | 1,49877 € |
| 5 | 5% | 1,16708 € | 1,423838 € |
| 10 | 10% | 1,10565 € | 1,348893 € |
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Vishay Siliconix SQ2364EES-T1-GE3 mosfet N 60V 1.3A SOT23 SMD
- Tipo FET: Canale N
- Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)
- Tensione drain/source (Vdss): 60 V
- Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C: 2 A (Tc)
- Tensione di comando (RDSon max, RDSon min): 1,5V, 4,5V
- RDSon (max) a Id, Vgs: 240mohm a 2A, 4,5V
- Vgs(th) max a Id: 1V a 250µA
- Carica del gate (Qg) max a Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
- Vgs (max): ±8V
- Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds: 330 pF @ 25 V
- Dissipazione di potenza (max): 3W (Tc)
- Tipo di montaggio: A montaggio superficiale SMD
- Contenitore del fornitore: SOT-23-3 (TO-236)
